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12月12日，富士通公告稱，將以6849億日元（約合人民幣345億元）價格將其旗下的芯片封裝子公司Shinko Electric Industries（新光電氣）出售給日本投資公司JIC牽頭的財團，該財團包括大日本印刷（Dai Nippon Printing）和三井化學。與此同時，新光電氣也表示支持，并建議股東接受該要約。
JIC表示，在獲得日本和海外必要的監(jiān)管批準后，將在2024年8月下旬對富士通未持有的股份發(fā)起要約收購，每股價格為5920日元，目標取得富士通未持有的49.98%股權，收購額約3998億日元。
股東方面，富士通將持有的新光電氣股權（50.02%）以2851億日元的價格出售給新光電氣，而新光電工取得上述富士通持股的資金會由JIC提供。最后JIC對新光電氣的出資比重將達80%、DNP為15%、三井化學為5%。
新光電氣估值約7500億日元，多方入圍競標
資料顯示，新光電氣成立于1946年9月12日，是全球芯片供應鏈的主要供應商之一，主要提供半導體封裝、散熱元件和半導體制造設備產品，用于電動汽車、家用電器和工業(yè)設備，客戶包括英特爾、AMD等。據(jù)悉，新光電氣在東京證交所的Prime市場上市，估值約7500億日元。
JIC在一份聲明中表示，“隨著對快速、靈活的開發(fā)和生產的需求不斷增長，芯片行業(yè)的競爭預計將加劇。通過將新光電氣私有化，我們相信我們可以大力支持該公司的先進芯片封裝業(yè)務?！?/p>
值得一提的是，此前今年6月，JIC宣布以約9093億日元收購半導體材料、光刻膠制造商JSR公司，并將其私有化。
據(jù)路透社引述消息人士早些時候稱，富士通出售新光電氣的提議引起了全球收購公司貝恩資本、KKR集團和阿波羅全球管理公司的興趣。
另據(jù)消息人士稱，貿易公司三菱商事株式會社也在考慮競購。據(jù)此前消息，目前該公司已經成立了一個團隊，探索進入半導體后端制造流程（封測）的可能性。此外，三菱正計劃與其中一位潛在買家進行聯(lián)合競標，這些談判還處于早期階段，三菱尚未決定合作伙伴。
富士通首席財務官Takeshi Isobe在10月的財報電話會議上曾表示，富士通一直在仔細審查收購方，希望找到能夠幫助新光電氣下一階段增長的買家。
一方面，消費電子等終端產品對設備需求越來越小型化，對應的芯片封裝尺寸要求也越來越高；另 一方面，5G、高性能運算、智能駕駛、AR/VR、物聯(lián)網(wǎng)對芯片的性能提出了更高的要求，對應的芯 片封裝密度要求也越來越高。芯片只有提供更小的尺寸和更好的能耗才能滿足下游領域的需求。先 進封裝憑借更高的互聯(lián)密度和更快的通信速度，得到愈加廣泛的應用。
根據(jù)集微咨詢預估，在 5G、汽車電子、可穿戴、人工智能、數(shù)據(jù)中心等應用需求的推動下，2022~2026 年全球封測市場規(guī)模將從 815 億美元增長至 961 億美元，CAGR 達到 4.2%。
全球先進封裝市場規(guī)模增速顯著高于封測市場規(guī)模增速。根據(jù)集微咨詢預估，2022~2026 年全球先 進封裝市場規(guī)模將從 379 億美元增長至 482 億美元，CAGR 達到 6.2%。其中 ED、3D-Stack、Fan-out 的平均年復合增長率最大，分別達到 24.8%、17.7%、12.0%。未來部分封裝技術在特定領域會有進 一步的滲透和發(fā)展，如 Fan-out 封裝在手機、汽車、網(wǎng)絡等領域會有較大的增量空間，如 3D-Stack 在 AI、HPC、數(shù)據(jù)中心、CIS、MEMS 傳感器等領域會有較大的增長空間。根據(jù)集微咨詢數(shù)據(jù)，2022 年 全球先進封裝占整體封測市場比例約為 47.2%。因為先進封裝的成長性好于傳統(tǒng)封裝，預計到 2026 年全球先進封裝占整體封測市場比例將超過 50%。
臺積電是全球先進封裝技術的領軍者之一，旗下 3D Fabric 擁有 CoWoS、InFO、SoIC 三種先進封裝 工藝。CoWoS 是臺積電最經典的先進封裝技術之一。2011 年至今，臺積電的 CoWoS 工藝已經迭代 至第五代，期間中介層面積、晶體管數(shù)量、內存容量不斷擴大。Nvidia、AMD、Broadcom、Marvell 等是臺積電 CoWoS 工藝的最大客戶。
臺積電的 InFO 技術是基于 CoWoS 的改進工藝，其將硅中介層替換為 polyamide film 材料，降低了 單位成本和封裝高度。蘋果的 iPhone 7、iPhone 7 Plus 均采用 InFO 封裝技術。這也是臺積電后續(xù)獨 占蘋果 A 系列處理器訂單的關鍵因素。 2018 年，臺積電首次對外公布其 SoIC 封裝技術。該技術是臺積電基于 CoWoS 和多晶圓堆疊（WoW） 開發(fā)的新一代封裝技術。根據(jù)臺積電官方介紹，SoIC 提供創(chuàng)新的前段 3D 芯片堆疊技術，用于重新 集成從片上系統(tǒng)（SoC）劃分的小芯片。SoIC 集成的芯片在系統(tǒng)性能方面優(yōu)于原始 SoC，并提供了 集成其他功能的靈活性。相較于 2.5D 封裝方案，SoIC 的凸塊密度更高，傳輸速度更快，功耗更低。
英特爾也在積極布局 2.5D/3D 先進封裝賽道，并已經推出 EMIB、Foveros、Co-EMIB 等多種先進封 裝技術，力求通過 2.5D/3D 等多種異構集成的形式實現(xiàn)互聯(lián)帶寬倍增和功耗減半的目標。 2018 年，英特爾首次展示 Foveros 先進封裝技術，引入 3D 堆疊，在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片，實現(xiàn) 橫向和縱向的互聯(lián)，且凸點間距進一步降低為 25~50μm。英特爾表示 Foveros 可以將不同工藝、結 構、用途的芯片整合到一起，從而將更多的計算電路組裝到單顆芯片上，以實現(xiàn)高性能、高密度和 低功耗。該技術提供了極大的靈活性，設計人員可以再新的產品形態(tài)中“混搭”不同的技術專利模塊、 各種存儲芯片、I/O 配置，并使得產品能夠分解成更小的“芯片組合”。
三星在 2.5D/3D 先進封裝技術領域也有布局，并已經推出 I-Cube、X-Cube 等先進封裝技術。針對 2.5D 封裝，三星推出的 I-Cube 技術可以和臺積電的 CoWoS 技術相媲美。針對 3D 封裝，三星在 2020 年推出 X-Cube 技術，將硅晶圓或芯片物理堆疊，并通過硅通孔（TSV）連接，最大程度上縮短了互 聯(lián)長度，在降低功耗的同時提高傳輸速率。
相較于傳統(tǒng)封裝，先進封裝涉及到前道工序的延續(xù)，所以先進封裝的后道工藝路線和晶圓廠的前道 制造工藝界限逐漸模糊，晶圓廠在技術方面更占有優(yōu)勢。這也是臺積電、英特爾、三星等晶圓廠能 主導先進封裝技術的重要原因。
AMD、英特爾、臺積電等廠商先后發(fā)布了量產可行的 Chiplet 解決方案、接口協(xié)議或封裝技術。其中，AMD 已經率先實現(xiàn) Chiplet 量產。根據(jù)研究機構 Omdia 報告，2024 年，采用Chiplet 的處理器芯片的全球市場規(guī)模將達 58 億美元，到 2035 年將達到 570 億美元，年復合增長率達到23%，增長十分迅速。Chiplet工藝一旦普及也意味著需要面積更大的 ABF 載板與之匹配，載板面積的擴大勢必會造成產品良率下降，需求上升。因此，Chiplet 技術將為 ABF 載板的生產打開更為廣闊的市場空間。
除封裝基板外，先進封裝的發(fā)展也將拉動塑封料、底部填充膠等材料的需求。在塑封料方面，先進封裝所呈現(xiàn)出高集成度、多功能、復雜度高等特點對塑封料提出了更高的性能要求。以扇出型晶圓級封裝（FOWLP）為例，與傳統(tǒng)封裝中采用固態(tài)餅狀環(huán)氧塑封料不同的是，應用于 FOWLP 封裝的 GMC 與 LMC 的產品形態(tài)以顆粒狀與液態(tài)為主，因而也對塑封料廠商的生產工藝技術水平提出了更高的要求，要求塑封料廠商能夠更有效地結合配方與生產工藝技術。
整體上來說，目前我國環(huán)氧模塑料在中低端封裝產品已實現(xiàn)規(guī)模量產，在 QFP、QFN、模組類封裝領域已實現(xiàn)小批量供貨；但應用于 FC-CSP、FOWLP、WLCSP、FOPLP 等先進封裝的產品成熟度較低，基本仍由住友電工等海外廠商主導。
另外，芯片級底部填充膠主要應用于 FC（Flip Chip）領域，如 FC-BGA、FC-SiP 等先進封裝技術，目前該市場仍主要為日本納美仕、日立化成等外資廠商壟斷，國內芯片級底部填充膠正處于驗證突破階段，有望逐步實現(xiàn)國產化。
材料以外，封裝設備產業(yè)鏈也將有所受益。據(jù) SEMI 統(tǒng)計，2022 年全球半導體封裝設備市場規(guī)模約 57.8 億美元，測試設備市場規(guī)模約 75.2 億美元，同比有所下滑，主要系宏觀經濟和半導體景氣度所處周期位置影響，但整體空間依然巨大。
具體來看，封裝設備主要包括劃片機、貼片機、引線機、塑封設備等，測試設備則包括測試機、分選機等。此外，先進封裝和傳統(tǒng)封裝工藝的差異也拉動了新的設備需求，包括 Bumping 工藝（電鍍設備等）、TSV 工藝（刻蝕設備、沉積設備、減薄設備等）、RDL 工藝（曝光設備、電鍍設備）等。
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